RU EN
Фундаментальные и прикладные исследования по широкому спектру проблем современной волоконной оптики

 
 
 
 



























Рейтинг@Mail.ru

Аналитический центр НЦВО РАН


Аналитический центр НЦВО РАН (АЦ НЦВО РАН) создан в 2006 году.

Состав коллектива
Зав. Аналитическим центром  к.х.н. Исхакова Людмила Дмитриевна
Рабочий телефон      +7(499) 5038309 E-mail: ldisk@fo.gpi.ru
Черноок Светлана  Георгиевна
Лаврищев Сергей Вадимович

Основными направлениями деятельности АЦ НЦВО РАН являются:

электронная микроскопия; рентгеноспектральный микроанализ; дифракция обратно-рассеянных электронов, рентгенофазовый и рентгеноструктурный анализы. Сочетание этих методов позволяет  получить детальную характеристику объектов: исследовать морфологию, установить фазовый состав, микроструктуру и распределение фаз с различным кристаллическим строением в объекте и их кристаллографическую ориентацию; установить химический состав, построить карты распределения  химических элементов для выбранных участков образца; получить рентгенометрические данные для соединений.  
С их использованием исследуются различные классы неорганических материалов и нанообъектов. К ним относятся :

  • световоды на основе фотонных кристаллов и специальные волоконные световоды (брэгговские,  радиационно-стойкие,  радиационно-чувствительные, микроструктурированные);
  • новые материалы для волоконной оптики, квантовой электроники и других областей современной науки и техники;
  • наноматериалы ( углеродные нанотрубки, наноразмерные оксиды, фториды и силикаты; наноструктурированная стеклокерамика);
  • монокристаллы и композиты;
  • неорганические реактивы и особо чистые вещества

АЦ проводит исследования по тематике НЦВО РАН и сотрудничает с рядом институтов РАН, университетами, ВУЗами, промышленными предприятиями и фирмами.

Материально-техническая база ЦК:

1
Установка EMS 450X (США, 2009 г.) для нанесения токопроводящих углеродных покрытий на образцы

Сканирующий электронный микроскоп JSM-5910LV (фирма JEOL, 2001 г.) с аналитической системой INCA ENERGY (фирма OXFORD INSTRUMENTS), включающей  приставки для рентгеновского микроанализа (EDS и WDS) и приставку CRYSTAL  для исследований методом дифракции обратно-рассеянных электронов.

Получение изображений объектов в режиме вторичных и отраженных электронов с увеличением до х300000 в высоком и низком вакууме; проведение локального микроанализа элементов от B до U.

Построение пространственных карт распределения фаз и их кристаллографической ориентации.


2
Рентгеновский дифрактометр ДРОН-4-13 (НПП "Буревестник", 1993 г.) используется для количественного и качественного рентгенофазового анализа

Рентгеновский дифрактометр D8 DISCOVER с GADDS (фирма Bruker AXS, 2010 г.) позволяет изучать широкий круг образцов.

Благодаря уникальной чувствительности детектора HI-STAR отношение сигнал-шум близко к теоретическому пределу. Дифрактометр позволяет решать различные задачи: идентификация фаз, микродифракционный анализ, исследование текстур и напряжений, малоугловое рентгеновское рассеяние, высокопроизводительный скрининг, рентгеновскую дифрактометрию высоко разрешения,  индицирование и определение структуры.

Сервисные услуги
Центр выполняет следующие работы для любых организаций и учреждений:

  • Рентгеноспектральный анализ материалов: определение макро- и микросостава, построение пространственных карт распределения элементов;
  • Исследование микроструктуры и морфологии образцов
  • Определение геометрическмх характеристик образцов, в том числе нанообъектов и наноструктур
  • Структурный микроанализ методом дифракции обратно-рассеянных электронов. Построение карт пространственного распределения фаз и их кристаллографической ориентации
  • Качественный и количественный рентгенофазовый анализ
  • Определение рентгенометрических характеристик веществ
  • Определение размеров кристаллитов (блоков когерентного рассеяния)



Основные публикации коллектива:

  1. "GaS0.4Se0.6: Relevant properties and potential for 1064 nm pumped mid-IR OPOs and OPGs operating above 5 µm", Petrov V.,  Panyutin V. L., Tyazhev A., Marchev G., Zagumennyi, A. I., Rotermund F., Noack F., Miyata K., Iskhakova L. D., Zerrouk A. F. //, Laser physics. 2011.   V. 21 .   Is. 4.    P. 774-781
  2. "Синтез углеродных наноструктур каталитическим пиролизом этанола на новом Ni/(NiO+Y2О3) катализаторе, полученном золь-гель методом",  Е. В. Жариков, К. С. Зараменских, Л. Д. Исхакова, А. Н. Коваленко П. П. Файков //Химическая технология. 2011. No.2. С. 76-80
  3. "Structure and superconductivity of layered oxycarbonate Bi2Sr4Cu2CO3O8 crystals", Ю. И. Горина, Г. А. Калюжная, М. В. Голубков,Gorina JI, Kaljuzhnaia GA, Golubkov MV В. В. Родин, Н. Н. Сентюрина, В. А. Степанов, С. Г. Черноок //Crystallography Reports. 2011.  V. 56.   Is. 2.   P. 321-326
  4.  "Получение и свойства монокристаллов слоистого оксикарбоната BI2SR4CU2CO3O8", 3Ю. И. Горина, Г. А. Калюжная, М. В. Голубков, В. В. Родин, Н. Н. Сентюрина, В. А. Степанов, С. Г. Черноок, О. Е. Омельяновский, А. В. Садаков / /, Кристаллография. 2010. Т. 55. No.3. С.564-569
  5. "Свойства фторсиликатного стекла, полученного методом MCVD", Аксенов В. А., Иванов Г. А., Исхакова Л. Д., Лихачев М. Е., Черноок С. Г., Шушпанов О. Е. // Неорганические материалы.2010. Т. 46. No.10. С. 1272-1276
  6. "Nano-glass-ceramics containing chromium-doped LiGaSiO4 crystalline phases", Subbotin K. A., Smirnov V. A., Zharikov E. V., Iskhakova L. D., Senin V. G., Voronov V. V., Shcherbakov I. A. // OPTICAL MATERIALS. 2010. V.32. Is. 9. P. 896-902
  7. "Spectroscopy and lasing of new mixed Nd-doped (Sc,Y)VO4 crystals", Zagumennyi A. I., Kutovoi S.A., Sirotkin A. A., Kutovoi A. A., Vlasov, V. I., Iskhakova L. D., Zavartsev, Y. D., Luthy, W., Feurer T. //Applied physics B-Lasers and optics. 2010. V.99. Is.1-2. P.159-162
  8. "Магнитные и диэлектрические свойства орторомбических и  гексагональных мультиферроиков системы Tb1-xYxMnO3", В.Ю.Иванов, А.А.Мухин, А.С.Прохоров, А.М.Балбашов, Л.Д.Исхакова // Письма в ЖЭТФ. 2010. Т. Вып. 8. С. 424-430
  9. "Enhancement of Transmission by Optimization of Crystal Structure of Silicon – Core Optical Fiber". V.V. Velmiskin, N.N. Kononov, V.V. koltashev, E.B. RKryukova, L.D. Iskhakova, S.L. Lavrischev, V.G. Plotnichenko, S.L. Semjonov, E.M. Dianov.// CLEO-2010. JTu D40
  10. "2 W bismuth doped fiber lasers in the wavelength range 1300-1500 nm and variation of Bi-doped fiber parameters with core composition"  Firstov S.V., Bufetov I.A., Khopin V.F., Smirnov A.M., Iskhakova L.D., Vechkanov N.N., Guryanov A.N., Dianov E.M.// Laser physics letters.  2009. V. 6.   Is. 9 .  P. 665-670
  11. "Оптические свойства световодов с сердцевиной из фосфороалюмосиликатного стекла", Бубнов М.М., Гурьянов А.Н., Зотов К.В., Исхакова Л.Д.,  Лаврищев С.В., Липатов Д.С., Лихачёв Д.Е., Рыбалтовский А.А., Хопин В.Ф., Яшков М.В., Дианов Е.М. // Квантовая электроника. 2009. No.9. С. 857-862
  12. "Долговременная стабильность сверхпроводящей ленты на основе Bi(2223) и Dy(123) в цепи постоянного тока",  Михайлова Г.Н., Демихов Е.И., Аксенов В.П., Антонова Л.Х., Исхакова Л.Д., Жерихина Л.Н., Костров Е.А., Лаврищев С.В., Михайлов В.С., Троицкий А.В., Цховребов А.М.// Журнал технической физики. 2009. No.2.  С. 66-71.
  13. "Peculiarities of Er3+ photoluminescence in halogen-doped amorphous silica, Kholodkov A.V., Golant K.M., Iskhakova L.D . // Physics of wave phenomena. 2009.  V. 17.   Is. 3.   P. 155-164
  14. "Особенности люминесценции Er3+ в легированном галогенами аморфном диоксиде кремния",  Холодков А.В., Голант К.М., Исхакова Л.Д. // Труды ИОФАН. 2009. т.64. С.66-80
  15. "Влияние низкотемпературных отжигов на структурные и сверхпроводящие свойства вискеров Bi 2212 и Bi 2201", Ю.И. Горина, Г.А. Калюжная, М.В. Голубков, В.В. Родин, Н.Н. Сентюрина, Степанов В.А., С.Г. Черноок //Кристаллография. 2009. Т.54. No.4. С.  705-712
  16. "Рост в газовых кавернах, структурные и сверхпроводящие свойства нитевидных монокристаллов Bi2Sr2CaN-1CuNO2N+4+δ  (N = 1, 2, 3)", Голубков М.В., Горина Ю.И., Калюжная Г.А., Родин В.В., Сентюрина Н.Н., Степанов В.А., Черноок С.Г. // Неорганические материалы. 2009. Т.45. No.6. С. 731-737


© НЦВО РАН 2010